Melo, Alan; Barreira, Manuel; Dalles, Credson de; Araujo, Arimatea; Maciel, Aellfcleniton; Oliveira, Hermes de; Lara, Juliana; Batista, Edson
Universidade Federal de Itajuba; AES Eletrosul
Este trabalho tem o objetivo de apresentar a influência da presença de uma camada semicondutora em cabos cobertos utilizados em redes compactas, mostrando que a sua ausência provoca a concentração de campo elétrico próximo às superfícies mais externas dos condutores que compõem o cabo, aumentando o esforço elétrico aplicado na camada de polietileno utilizada na cobertura do cabo. No entanto, almeja também esclarecer que a inserção da blindagem semicondutora, sem o aumento do diâmetro total do cabo, reduz a espessura média do revestimento isolante, resultando no aumento dos valores de corrente de fuga através da cobertura do cabo coberto.
